プレスリリース

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン(株)
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2007年 4月 26日

200V/250V PowerTrench® MOSFETを発表
プラズマ・ディスプレイ・パネルで高い効率と省スペースを実現

クラス最高レベルのFOMとなる、TO-263パッケージのFDB2614とFDB2710

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、プラズマ・ディスプレイ・パネル（PDP）アプリケーションで、高い効率と省スペース化を実現する「FDB2614」（200V）、「FDB2710」（250V）の2つの新しいNチャネルMOSFETを発表した。これらのMOSFETは、フェアチャイルド独自のPowerTrench®プロセス・テクノロジーの採用により、同様のデバイスに比べ、オン抵抗（RDS(on)）が非常に低い（FDB2614：22.9 mΩ、FDB2710：36.3 mΩ、いずれもTypical値）。この低オン抵抗（RDS(on)）と超低ゲートチャージ（Qg）がクラス最高の性能指数（Figure of Merit: FOM）を達成し、PDPシステムにおける伝導損失の低減と卓越したスイッチング性能に貢献する。また、200Vもしくは250Vのドレイン－ソース間耐圧で、オン抵抗（RDS(on)）が極めて低いこととチップ・サイズが小さいことから、デバイスは実装面積の小さいTO-263パッケージで提供される。PowerTrench MOSFETのもう1つの利点は、スイッチングにおける高速過渡電圧（dv/dt）および過渡電流（di/dt）に耐え、システムの信頼性を高めることができる。

フェアチャイルドのファンクショナル・パワー・グループ担当副社長であるテフーン・キム（Taehoon Kim）は、次のようにコメントする。「卓越したFOMと小型のTO-263パッケージを誇るフェアチャイルドのFDB2614、FDB2710 MOSFETは、PDPアプリケーションのパス・スイッチに最適である。スリムなPDPボード設計に適した高い電流処理能力と実装スペースを節約する小さなパッケージを備えたデバイスを提供することにより、フェアチャイルドがこのアプリケーションに注力し、最適化された製品開発を進めていることを改めて実証している。」
FDB2614、FDB2710の主な特長と利点は、以下のとおり。

極めて低いオン抵抗（RDS(on)）とゲートチャージが、クラス最高のFOM（RDS(on) x Qg）を実現し、システム効率を高める。
同等レベルのオン抵抗（RDS(on)）の、大きなTO-3Pパッケージのプレーナ型MOSFETに比べ、TO-263パッケージは省スペース化に貢献する。
高いdv/dt、di/dtに対応できるため、システムの信頼性が高まる。

FDB2614とFDB2710は、鉛フリー（鉛を使用しない）製品として、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020C規格以上の要件を満たし、欧州連合の規格にも適合する。

価格
FDB2614　US$ 3.00 (200V, 22.9mΩ)　（1,000個購入時）
FDB2710　US$ 2.80 (250V, 36.3 mΩ)　（1,000個購入時）

製品のデータについては、
www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB2614.pdf
www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB2710.pdf を参照。

その他フェアチャイルド製品やデザインツールについては、同社の下記ウェブサイト（ www.fairchildsemi.com/jp/ ）を参照、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱　Tel:03-5275-8380、Fax:03-5275-8390まで。

フェアチャイルドセミコンダクターについて：

フェアチャイルドセミコンダクター社（NYSE: FCS）は、電力効率の高いパワーアナログおよびパワーディスクリート・ソリューションをご提供しているグローバルリーダーカンパニーです。フェアチャイルドの最先端のシリコンおよびパッケージ技術、生産体制、そしてコンシューマ、コミュニケーション、インダストリ、ポータブル機器、コンピューティング、車載などの各システム向けの専門知識は、The Power Franchise®として業界で認識されています。アプリケーションやソリューションベースの半導体サプライヤーであるフェアチャイルドは、総合的なGlobal Power Resource^SMの一環として、オンライン･デザイン・ツールや世界各地のデザインセンターを通してお客様をサポートしています。詳しくはwww.fairchildsemi.com/jpをご覧下さい。