フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、LCD
TVのスイッチ・モード電源（SMPS）アプリケーションの最適化を目的として設計されたトータル・パワー・デバイス・ソリューションの一環として、新しいStealth™
IIおよびHyperfast IIダイオード技術を発表した。新しい「FFP08S60S」、「FFPF08S60S」Stealth™
IIダイオードは、卓越したソフト・リカバリ性能（tb/ta > 1.3）と非常に短いリバース・リカバリ時間（ブレークダウン電圧600Vでtrr < 25nS）を実現する。これらの特性は、CCM（連続電流モード）の力率改善（PFC）設計において、問題の多いEMIやMOSFETスイッチング損失の削減に最適である。また、今回、「FFPF08H60S」
Hyperfast IIダイオードも発表した。短いリバース・リカバリ時間（ブレークダウン電圧600Vでtrr < 25nS）と低い順方向電圧ドロップ（Vf < 2.1V）を特長とするこのダイオードは、伝導損失を削減し、DCM（不連続電流モード）PFC設計におけるエネルギー効率の向上に貢献する。新しいStealth
II、Hyperfast II技術は、フェアチャイルド既存のUniFET™、SuperFET™ MOSFET製品群を補い、併用を想定して開発されている。この幅広い製品群は、LCD
TV電源設計におけるEMIを低減しつつ、システム効率と信頼性を高める包括的なソリューションとなる。
Stealth™ II / Hyperfast II + UniFET™の組み合わせがPFC設計を最適化
LCD TVのSMPSは、CCM、DCMという2つのPFC電流モードで動作する。CCM設計を最適化するには、フェアチャイルドの新しいFFP/PF08S60S
Stealth IIファスト・リカバリ・ダイオードと以前に発表されたUniFET MOSFETと組み合わせることができる。例えば、500V/19A
の「FDA18N50」 UniFETは、独自のプレーナ・ストライプDMOSテクノロジーを生かし、低オン抵抗RDS(on)（0.265
Ω @ VGS = 10V）と高いUIS（unclamped inductive switching）性能を実現する。このUniFETデバイスに新しいStealth
IIダイオードを組み合わせれば、現行のデバイスに比べ、スイッチング損失が10%削減され、卓越したシステム効率が得られる。また、フェアチャイルドの新しいFFPF08H60S
Hyperfast IIダイオードを同じUniFETデバイスと組み合わせれば、DCM PFC動作中の効率性とアバランシェ降伏保護性能が高まる。（UniFET製品群は、以下の表を参照）
効率的で信頼性の高いメイン・スイッチング設計に対応するSuperFET™ FRFET®
現在のLCD TVのSMPSは、スイッチング・モード動作でのシステム性能と信頼性を維持しつつ、消費電力を低減しなくてはならない。フェアチャイルド既存のSuperFETファスト・リカバリMOSFET（FRFET）製品は、この課題の克服に最適である。SuperFET
FRFETは、SuperFETテクノロジーとライフタイム・キリング・プロセスの結合により、優れたボディ・ダイオード特性、ターンオフdv/dt耐性、低EMIを提供する。例えば最新世代のFCPF11N60Fデバイスは、trr
= 120ns、Qrr= 0.8μC、最大50V/ns dv/dtの性能を持つ。これらの高度なMOSFETは、最先端のLLCハーフブリッジ・コンバータでも効率性と信頼性を高める。（すべてのSuperFET
FRFET製品群は、以下の表を参照）
フェアチャイルドのファンクショナル・パワー・ソリューション担当副社長であるテフーン・キム（Taehoon
Kim）は、次のようにコメントする。「Power Franchise®をモットーとするフェアチャイルドは、高信頼性、高エネルギー効率、低ノイズのLCD
TV電源設計を実現するトータル・パワー・デバイス・ソリューションを提供できる。我々の新しいStealthⅡ、HyperfastⅡダイオードは、そのようなシステム上の利点を提供すべく改良し、また、既存の技術と組み合わせることにより、フェアチャイルドは、実証済みの製品と設計知識を生かし、増え続ける設計課題の解決に貢献できる。」
New Stealth II、Hyperfast II製品は、鉛フリー（鉛を使用しない）パッケージで提供され、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020C規格以上の要件を満たし、欧州連合の規格にも適合する。
価格：
FFPF08S60S US$ 0.54 (Stealth II diode, TO-220F) （1,000個購入時）
FFP08S60S US$ 0.54 (Stealth II diode, TO-220 ) （1,000個購入時）
FFPF08H60S US$ 0.48 (Hyperfast II diode, TO-220F) （1,000個購入時）
その他フェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、同社の下記ウェブサイト（
www.fairchildsemi.com/jp/
)を参照、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱Tel:03-5275-8380、Fax:03-5275-8390まで。
製品のデータについては、
- FFPF08S60S:
www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFPF08S60S.pdf
- FFP08S60S:
www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFP08S60S.pdf
- FFPF08H60S:
www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFPF08H60S.pdf
を参照。
UniFET製品群：
| FDP16N50
|
TO-220 |
500 |
Single |
0.39 |
32 |
16 |
200 |
| FDP18N50
|
TO-220 |
500 |
Single |
0.265 |
45 |
18 |
235 |
| FDP20N50
|
TO-220 |
500 |
Single |
0.23 |
45.6 |
20 |
250 |
| FDPF16N50
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.38 |
32 |
16 |
52 |
| FDPF16N50T
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.38 |
32 |
16 |
52 |
| FDPF18N50
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.265 |
45 |
8 |
58 |
| FDPF18N50T
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.265 |
45 |
8 |
58 |
| FDPF20N50
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.23 |
45.6 |
20 |
62 |
| FDPF20N50T
|
TO-220F |
500 |
Single |
0.23 |
45.6 |
20 |
62 |
| FDA16N50
|
TO-3P/
TO-3PN |
500 |
Single |
0.38 |
32 |
16.5 |
205 |
| FDA18N50
|
TO-3PN |
500 |
Single |
0.265 |
45 |
19 |
239 |
| FDA20N50
|
TO-3P/
TO-3PN |
500 |
Single |
0.23 |
45.6 |
22 |
280
|
SuperFET FRFET製品群：
|
