2007年 6月 13日

フェアチャイルド社、
小型かつ高い許容損失を実現する
MLPパッケージのMicroFET™製品を発表

低電圧アプリケーション向けに、7種類のMicroFET™製品群をリリース

＝フェアチャイルドセミコンダクタージャパン�梶�

フェアチャイルドセミコンダクタジャパン�梶i社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、低電圧アプリケーションをターゲットにした小型製品群に加えられる、新しい7種類のMicroFET™ 製品を発表しました。

MicroFET製品は、フェアチャイルドの優れたPowerTrench®技術とパッケージング技術を組み合わせたもので、従来のMOSFETと比較して、小型かつ高い性能を実現しています。例えば、2mm x 2mm x 0.8mmモールド･リードレス･パッケージ（MLP）のMicroFETは、低電圧アプリケーションで一般に使用されているSSOT-6パッケージ（3mm x 3mm x 1.1mm）のMOSFETに比べて、面積が55％小さく、高さが20％低くなります。またMicroFETは、従来のSC-70パッケージのMOSFETと比較して、許容損失と伝導損失の面で優れています。小型パッケージと高性能のメリットを組み合わせたこのMicroFETデバイスは、バッテリ充電、ロードスイッチ、DC/DCコンバータや、その他多くの携帯機器のパワーマネージメントアプリケーションに理想的です。

フェアチャイルドのコミュニケーション製品担当・マーケティングディレクター、Chris Winklerは次のように述べています。｢フェアチャイルドのMicroFET製品は、特に、小型・低背化の進む携帯アプリケーションにますます必要とされている熱特性の改善に対応したものです。最新パッケージのこれら7品種によって、低電圧アプリケーションにおいて、小型でなおかつ電気的・熱的性能を改善するMicroFET製品を、幅広く提供できるようになります。｣

7種類の新しいMicroFET製品のうち、FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ、FDMA1025P の4品種は、シングルとデュアルのPチャネルPowerTrench MOSFETで、うち3品種はESD保護用ツェナーダイオードを内蔵しています。また、FDMA1023PZは、最小1.5Vのゲート電圧（VGS）でオン抵抗（RDS(ON)）を規定しており、電池駆動アプリケーションの充電回路やロードスイッチに最適です。

他の3品種は、NチャネルやPチャネルMOSFETとショットキー･ダイオードを組み合わせたものです。FDFMA2P029ZとFDFMA2P857はPチャネルMOSFETと、順方向電圧（VF）および漏れ電流（IR）を最適化したショットキー･ダイオードを組み合わせたものです。これら2品種は、熱抵抗の低減が強く求められる充電アプリケーションに理想的です。3つ目のFDFMA2N028Zは、NチャネルMOSFETとショットキー･ダイオードを組み合わせたもので、昇圧回路に適しています。

これらの製品は鉛フリーパッケージで提供され、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020C規格以上の要件を満たすとともに、欧州連合の規格にも適合しています。

MicroFET 新製品：

その他のフェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、弊社ホームページ（ www.fairchildsemi.com/jp )、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン�梶@Tel:03-5275-8380、Fax:03-5275-8390までお問い合わせください。