プレスリリース

低周波数（50〜400Hz）産業アプリケーションのエネルギー効率を高める
600V/30Aの新型IGBTを発表

FGH30N60LSDが、ソーラ・インバータ、溶接機、無停電電源で
極めて低い伝導損失を実現

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン�梶i社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、ソーラ・インバータ、溶接機、無停電電源（UPS）などの低周波数（50〜400Hz）の産業アプリケーションの低伝導損失に対するニーズに応え、600V/30Aの新型IGBT 「FGH30N60LSD」 を発表しました。極めて低い飽和電圧（VCE(sat), Typ. = 1.1 V）を特長とするFGH30N60LSDは、低周波数の条件を満たしつつ、システム効率を高めることを目的に設計されています。ソーラ・インバータなど、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数の両方を使う産業アプリケーションでは、さらにエネルギー効率を高めるため、このIGBTとフェアチャイルドのSuperFET™ FRFET® 「FCH47N60F」を併用することができます。FCH47N60Fは、最大250 kHzの高い動作周波数と極めて低いオン抵抗（RDS(on), Typ. = 0.062Ω）を提供します。

フェアチャイルドの高耐圧ファンクショナル・パワー・ソリューション担当ディレクタであるチョ・ドンフィ（Cho, Donghye）は、次のようにコメントします。「エネルギー効率は、ソーラ・インバータ、溶接機、UPSなど現代の産業アプリケーションにとって、最も重要視される事項の一つです。伝導損失を極めて低く抑えるよう新しいIGBTを設計し、それを高スイッチング周波数と低オン抵抗を備えたSuperFET MOSFETと組み合わせることにより、フェアチャイルドは、設計上の複雑な課題に対応できる能力を実証しています。」

FGH30N60LSDは、MOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を兼ね備えたMOSゲートの高電圧スイッチング・デバイスであり、ファスト・リカバリ・ダイオード（FRD）の内蔵により、システムの信頼性を高めつつ、部品数の削減に貢献します。また、フェアチャイルドのSuperFET FRFETは、SuperFETテクノロジーとライフタイム・キリング・プロセスの結合によって優れたボディ・ダイオード特性を提供し、高スイッチング周波数、極めて低いオン抵抗、卓越したターンオフdv/dt耐性、低EMIでの動作を実現します。これらすべての特長は、システムの効率性、信頼性の向上につながります。

フェアチャイルドのFGH30N60LSDは、鉛フリー（Pb-free）端子を使用し、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020規格の鉛フリー・リフロー条件に基づく耐湿レベルを認定されています。また、フェアチャイルドのすべての製品は、電子・電気機器における特定有害物質の使用制限（RoHS）についての欧州連合（EU）指令に適合するよう設計されています。

価格：  FGH30N60LSD      US$8.70  （1,000個購入時）

製品のデータについては、www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH30N60LSD.pdf を参照下さい。

その他のフェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、弊社ホームページ（ www.fairchildsemi.com/jp ）、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン�梶@TEL: 03-5275-8380、FAX: 03-5275-8390までお問い合わせ下さい。