フェアチャイルドセミコンダクタジャパン㈱（社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、高い静電耐量（人体モデル、HBM）の新しい N-ch MOSFET 製品群を発表しました。この製品群では、現行のデバイスよりも約90％高い静電耐量になっています。
FDS881xNZ シリーズは、ノートブック PC や携帯機器などの電池パックの保護回路用に最適です。これらの製品は、フェアチャイルドの PowerTrench® プロセス技術を採用し、極めて低いオン抵抗（FDS8812NZで5mΩ以下）を実現しているので、伝導損失を低減し電池寿命を延ばすことができます。また、高いアバランシェ耐量とピーク電流容量を有しているので、電池パックの安全性に寄与します。
FDS881xNZ シリーズは、アプリケーションの負荷容量や、ロードスイッチの条件に合わせて、各種の製品を選ぶことができます。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mΩ) はハイエンドのラップトップ適しており、高い消費電力でも発熱を抑えることができます。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mΩ) は、15インチもしくはそれ以上のオールインワン型ラップトップに最適で、一方、FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mΩ) は、エントリーモデルやサブノートブック PC に理想的です。
FDS881xNZシリーズの主な利点は次のとおりです。
- 低オン抵抗により、動作効率が向上し、電池寿命を延ばします。
- ESD 保護ダイオードを内蔵し、高い静電耐量を提供します。
- 高いアバランシェ耐量とピーク電流容量を持っているので、予期せぬスパイク電圧に耐えることが可能です。
FDS881xNZ シリーズの N-ch MOSFET はSO-8 パッケージで提供されており、弊社の包括的なバッテリ用 MOSFET 製品群をより幅広くする製品です。N-chと P-ch MOSFET製品の詳細については、www.fairchildsemi.com/battery_mosfets/ をご覧ください。
FDS881xシリーズは、鉛フリー（Pb-free）端子を使用し、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020規格の鉛フリー・リフロー条件に基づく耐湿レベルに認定されています。また、フェアチャイルドのすべての製品は、電子・電気機器における特定有害物質の使用制限についてのEU指令（RoHS）に適合するよう設計されています。
その他のフェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、弊社ホームページ（www.fairchildsemi.com/jp）、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱ TEL: 03-5275-8380、FAX: 03-5275-8390までお問い合わせ下さい。
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