フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（社長：グレッグ・ヘルトン、本社：東京都千代田区）は、スイッチング損失を最大50%程度削減する40V P-ch PowerTrench MOSFET製品、FDD4141を発表しました。この製品は、現行製品に比べて低オン抵抗(RDS(ON))と50%も低いゲートチャージ(QG)特性を併せもっているので、ポータブルPC、コンシューマ機器、ホーム・エンターテイメント製品などで用いられている降圧コンバータやバッテリーチャージャー、インバーターのようなアプリケーションにおいて、過度に発熱することなく、高速スイッチング動作が可能になります。他のソリューションでは、高速スイッチング動作は可能でも、高いゲートチャージによって大きく発熱してしまいます。
FDD4141は、フェアチャイルドのPowerTrenchプロセス技術が使われており、それによって、高い負荷電流を小型パッケージで扱うことを可能にしています。PowerTrench技術は、N-ch MOSFETの特性をP-ch MOSFETに応用しています。このP-ch MOSFETは、低オン抵抗と低ゲート・チャージをもつN-ch MOSFETの特性をもっているので、降圧コンバータの数100kHzというスイッチング周波数でも、高効率を実現しています。
この製品は、PowerTrench MOSFET製品群の包括的なラインナップの一つで、今日のエレクトロニクスに不可欠な電気的、熱的パフォーマンスの要求を満たし、高い電力効率を実現します。フェアチャイルドの最新のPowerTrench MOSFETプロセス技術は、ミラー･チャージ(QGD)、オン抵抗(RDS(on))、ゲート・チャージ(QG)の値を非常に低く抑えることができるので、同期整流型コンバータのアプリケーションで、優れたスイッチング特性と熱効率を可能にします。
FDD4141は、鉛フリー（pb-free）化に対応しており、IPC/JEDEC（米国共同電子機器技術委員会）J-STD-020規格の鉛フリー・リフロー条件に基づく耐湿レベルを認定されています。また、フェアチャイルドのすべての製品は、電子・電気機器における特定有害物質の使用制限についてのEU指令（RoHS）に適合するよう設計されています。
価格： FDD4141 US $0.84 （1,000個購入時）
製品データシートは、こちらを参照ください：
www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD4141.pdf
その他のフェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、弊社ホームページ（www.fairchildsemi.com/jp）、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱ TEL: 03-5275-8380、FAX: 03-5275-8390までお問い合わせ下さい。
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