プレスリリース
| フェアチャイルドセミコンダクタージャパン(株) 〒102-0076 東京都千代田区五番町12-1 番町会館6Ｆ TEL: 03-5275-8380（代表） FAX: 03-5275-8390 |
2009年 9月 9日 |
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超低オン抵抗（RDS(ON)）の20V Pch MOSFET を発表、 1mm x 1mm WL-CSP パッケージでご提供
業界最高クラスの低オン抵抗（RDS(ON)）により、 ポータブル機器の電池寿命をさらに延長可能
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フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、携帯電話、ポータブル機器、コンシューマー機器などに最適な、1mm x 1mm WL-CSPパッケージで提供される超低オン抵抗（RDS(ON): -4.5V時75mΩ）20V Pch MOSFET「FDZ371PZ」を発表しました。この FDZ371PZ は、フェアチャイルド独自のPowerTrench®プロセス技術で設計されています。この技術により、極めて低いオン抵抗（RDS(ON)）を実現し、伝導損失を最小に抑えることを可能にしました。このような低い損失により、FDZ371PZ は電力効率を改善し、ポータブル機器の電池寿命を延ばします。また、静電気による破壊からデバイスを保護するため、4.4kVの優れたESD保護特性も提供します。
FDZ371PZ が提供されるWL-CSPパッケージは、4端子、250μm径の鉛フリー・はんだボールを用いており、優れた電気的特性および熱抵抗特性を提供します。また、実装時のパッケージ高は、業界最薄クラスの0.4mm です。 このFDZ371PZ は、小型かつ薄型MOSFETの業界ニーズにお応えする最新MOSFET の総合ラインナップの一つで、高効率かつ優れたスイッチング特性を提供します。
価格： US $0.30 （1,000個購入時）
製品の各種資料はこちらをご覧ください： データシート： www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ371PZ.pdf
その他のフェアチャイルド製品やデザイン・ツールについては、弊社ホームページ（www.fairchildsemi.com/jp）、または、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱ TEL: 03-5275-8380、FAX: 03-5275-8390までお問い合わせ下さい。
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