Á¦ ¸ñ  [2007/08/16] Æä¾îÂ÷ÀÏµå ¹ÝµµÃ¼ÀÇ N-ä³Î MOSFET ½Ã¸®Áî ³ëÆ®ºÏ & ÈÞ´ë¿ë ¹èÅ͸® ÆÑ º¸È£ ¼³°è¸¦ À§ÇÑ 90% ´õ¿í Çâ»óµÈ ESD Á¦°ø
Æä¾îÂ÷ÀÏµå ¹ÝµµÃ¼´Â ÃÖ´ë 8kV ESD (HBM) Àü¾Ð º¸È£¸¦ Á¦°øÇÏ´Â °íÈ¿À² N-ä³Î MOSFETÀÇ »õ·Î¿î ½Ã¸®Á Ãâ½ÃÇß´Ù. ÀÌ Á¦Ç°ÀÇ ½Ã¸®Áî´Â ½ÃÀå¿¡¼­ ¼±º¸ÀÌ´Â ±âÁ¸ µð¹ÙÀ̽º ´ëºñ ÃÖ´ë 90% Çâ»óµÈ ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. FDS881XNZ ½Ã¸®Áî´Â ³ëÆ®ºÏ ¹× ÈÞ´ë Àüȭó·³ ¹èÅ͸® ÆÑ º¸È£ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ÀûÇÕÇÑ °¡Àå ÃֽоÆÅ°ÅØÃ³¸¦ Áö¿øÇÑ´Ù. Æä¾îÂ÷ÀϵåÀÇ ÆÄ¿ö Æ®·»Ä¡ (Power Trench¢ç) °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇÑ, ³·Àº RDS(ON) MOSFET (5mOhms ¹Ì¸¸ÀÇ RDS(ON) FDS8812NZ)) Á¦Ç°µéÀº Àüµµ ¼Õ½ÇÀ» °¨¼Ò½ÃŰ°í ±ÍÁßÇÑ ¹èÅ͸® ¼ö¸íÀ» ¿¬Àå½ÃŲ´Ù. ÀÌ Á¦Ç°µéÀº °­·ÂÇÑ ¾Ö¹ú·±Ä¡ ¹× ÇÏÀÌ ÇÇÅ© Àü·ù ¼º´ÉÀ» Áö¿øÇØ ¹èÅ͸® ÆÑ¿¡ ¼Õ»óÀ» ÁÙ ¼ö ÀÖ´Â ¿¹±âÄ¡ ¸øÇÑ Àü¾Ð ½ºÆÄÀÌÅ©¸¦ °ßµ®³¿À¸·Î½á ½Ã½ºÅÛ ¾ÈÀüÀ» º¸ÀåÇÑ´Ù.

FDS881XNZ ½Ã¸®Áî´Â ¹èÅ͸®ÀÇ Àü·Â °ü¸® ¹× ºÎÇÏ ½ºÀ§Äª ¿ä±¸Á¶°Ç¿¡ µû¶ó ¼±ÅÃÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´Ù¾çÇÑ ¿É¼ÇÀ» ¼³°è ¿£Áö´Ï¾î¿¡°Ô Á¦°øÇÑ´Ù. FDS8812NZ (RDS(ON) = 4 mOhm)´Â °í±â´É ³ëÆ®ºÏÀ» °Ü³ÉÇϸç, ¼³°è ¿£Áö´Ï¾îµéÀÌ ³ëÆ®ºÏ ÄÄÇ»ÅÍ¿¡ ³ôÀº ¼öÁØÀÇ ±â´ÉÀ» ÅëÇÕÇÒ ¶§ Á÷¸éÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¿­ °ü·Ã ¹®Á¦¸¦ ÇØ°áÇÑ´Ù. FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm)´Â 15¡± ÀÌ»óÀÇ µð½ºÇ÷¹ÀÌÀÇ Æ¯Â¡À» °®Ãá ¿Ã-ÀÎ-¿ø ³ëÆ®ºÏ¿¡ ¸Å¿ì ÀûÇÕÇÑ ¹Ý¸é, FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm)´Â Àú°¡Çü¿¡¼­ Áß°£Ãþ ¸ðµ¨»Ó ¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¼­ºê-³ëÆ®ºÏ PC¿¡¼­µµ ÀϹÝÀûÀ¸·Î »ç¿ëÇϴµ¥ ÀÌ»óÀûÀÌ´Ù.

FDS881XNZ ½Ã¸®ÁîÀÇ ÁÖ¿ä ÀåÁ¡Àº ´ÙÀ½°ú °°´Ù:
¡¤ ³·Àº RDS(ON) ¼Ö·ç¼ÇÀº ´õ¿í ³ôÀº µ¿ÀÛ È¿À²¼ºÀ» Á¦°øÇÏ¸ç µû¶ó¼­ ¹èÅ͸®ÀÇ ¼ö¸íÀ» ¿¬Àå½ÃŲ´Ù.
¡¤ ÅëÇÕÇü ESD º¸È£ ´ÙÀÌ¿Àµå (HBM)´Â 8kV ESD º¸È£¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù.
¡¤ °­·ÂÇÑ ¾Ö¹ú·±Ä¡ ¹× ÇÏÀÌ ÇÇÅ© Àü·ù ¼º´ÉÀº ¿¹±âÄ¡ ¸øÇÑ Àü¾Ð ½ºÆÄÀÌÅ©¸¦ °ßµ®³»¸ç Ãâ·Â ´Ü¿¡¼­ ¿¹±âÄ¡ ¸øÇÑ Àü¾ÐÀ» ÇÇÇÑ´Ù.

¾÷°è Ç¥ÁØÇü SO8ÆÐŰÁö·Î Á¦°øµÇ´ÂFDS881XNZ ½Ã¸®ÁîÀÇ N-ä³Î MOSFETÀº Æä¾îÂ÷ÀϵåÀÇ Æ÷°ýÀûÀÎ ¹èÅ͸® MOSFET Æ÷Æ®Æú¸®¿À¿¡ Ãß°¡µÇ¾ú´Ù. Æä¾îÂ÷Àϵ尡 Á¦°øÇÏ´ÂN- ¹× P-ä³Î MOSFETÀÇ Æ÷°ýÀûÀÎ ¶óÀο¡ ´ëÇÑ »ó¼¼ Á¤º¸´Â www.fairchildsemi.com/battery_mosfets¿¡¼­ ¾Ë ¼ö ÀÖ´Ù.

FDS881x ½Ã¸®Áî Á¦Ç°µéÀº ¹«¿¬ (Pb-free) Å͹̳ÎÀ» »ç¿ëÇϸç Á¶ÀÎÆ® IPC/JEDEC Ç¥ÁØ J-STD-020ÀÇ ¹«¿¬ ¸®ÇÃ·Î¿ì ¿ä±¸Á¶°ÇÀ» ÁؼöÇϸ鼭 ½Àµµ °¨µµ¸¦ À§ÇØ Æ¯¼ºÈ­µÇ¾ú´Ù. ¸ðµç Æä¾îÂ÷Àϵå Á¦Ç°µéÀº À¯·´ÀÇ Æ¯Á¤À¯Çع°Áú »ç¿ëÁ¦ÇÑÁöħ(RoHS)ÀÇ ¿ä±¸Á¶°ÇÀ» ÁؼöÇϵµ·Ï ¼³°èµÇ¾ú´Ù.

Part number Package Type R DS (on) max. (mOhm) ESD diode
HBM value (V)
V DS (V) Price (each)
US$ 1K pcs
@10V @4.5V
FDS8812NZSO-8N-channel44.9640030$1.18
FDS8813NZSO-8N-channel4.56540030$1.06
FDS8817NZSO-8N-channel710360030$0.75


°¡°Ý : Á¦Ç° Ç¥ ÂüÁ¶
ÀÌ¿ë : »ùÇà ÇöÀç ÀÌ¿ë °¡´É
³³±â : 12ÁÖ ARO
¹®ÀÇ : ÀÌ Á¦Ç°¿¡ °üÇØ ±Ã±ÝÇÑ Á¡Àº Æä¾îÂ÷ÀÏµå ¹ÝµµÃ¼·Î ¹®ÀÇÇØ ÁֽʽÿÀ www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts
space
Æä¾îÂ÷ÀÏµå ¹ÝµµÃ¼¢ß ȸ»ç ¼Ò°³
Æä¾îÂ÷ÀÏµå ¹ÝµµÃ¼ (NYSE: FCS)´Â ¸ðµç ÀüÀÚ ½Ã½ºÅÛ¿¡ ÀûÇÕÇÑ ¿¡³ÊÁö È¿À²ÀûÀÎ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ´Â Àü·Â ¾Æ³¯·Î±× ¹× ÆÄ¿ö µð½ºÅ©¸®Æ® ±â¼ú ºÐ¾ßÀÇ ¼¼°èÀûÀÎ ¾÷üÀÌ´Ù. ÆÄ¿ö ÇÁ·£Â÷ÀÌÁî (Power Franchise¢ç)·Î Àß ¾Ë·ÁÁø, Æä¾îÂ÷Àϵå´Â ¼±µµÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ¹× ÆÐŰ¡ ±â¼ú°ú Á¦Á¶´É·Â ±×¸®°í ½Ã½ºÅÛ Àü¹®¼ºÀ» Á¦°øÇϰí ÀÖ´Ù. 2007³â, Æä¾îÂ÷Àϵå´Â »õ·Î¿î ±â¾÷À¸·Î¼­ 10³â, ¾÷°è¿¡¼­ 50³âÀ» ±â³äÇÏ´Â ¡°50/10¡± ±â³äÀÏÀ» ÃàÇÏÇß´Ù. ¡°½Ç¸®ÄÜ ¹ë¸®ÀÇ Ã¢½ÃÀÚ (Father of Silicon Valley)·Î Àß ¾Ë·ÁÁø, Æä¾îÂ÷Àϵå´Â 1958³â ÇÃ¶ó³ª Æ®·£Áö½ºÅÍ (planar transistor)¸¦ °³¹ßÇßÀ¸¸ç ÀÌ¿Í ÇÔ²² »õ·Î¿î »ê¾÷ÀÌ ÆîÃÄÁ³´Ù. ¿À´Ã³¯, Æä¾îÂ÷Àϵå´Â ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ÁÖµµÇüÀÇ, ¼Ö·ç¼Ç ±â¹Ý ¹ÝµµÃ¼ °ø±Þ¾÷ü·Î¼­ Global Power Resource¢âÀÇ ÀÏȯÀ¸·Î ¿Â¶óÀÎ ¼³°è Åø°ú ¼³°è ¼¾Å͸¦ Àü¼¼°è¿¡ Á¦°øÇϰí ÀÖ´Ù.
º¸´Ù ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº À¥»çÀÌÆ® www.fairchildsemi.com¿¡¼­ ÂüÁ¶ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù

English Chinese Japanese Korean
Last updated:September 17, 2008