소비가전 파워 컨버터에 최적화 된
페어차일드 반도체의 UniFET™ II MOSFET
평판 디스플레이와 조명시스템, PC 파워 및 스마트 그린 파워에 높은 효율성과 신뢰성 제공
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스위치 모드 파워서플라이 설계자들은 역방향 회복 전류 스파이크를 견디고 스위칭 손실을 줄일 수 있는 높은 전압의 MOSFET이 필요하다. 수준 높은 MOSFET 기술을 보유하고 있는 페어차일드 반도체는 개선된 바디 다이오드, 스위칭 손실 감소 그리고 다이오드 회복 dv/dt 모드 동안 전류 충격을 두 배로 견딜 수 있는 UniFET™ II 와 같은 최적화된 파워 MOSFET을 개발했다.
페어차일드의 UniFET II MOSFET은 기존 제품보다 50% 더 나은 역방향 회복성을 제공한다. 느린 역방향 회복은 높은 역방향 회복 전류 스파이크, 더 많은 스위칭 손실 그리고 온도에 민감한 파워MOSFET에 부적합 할 수 있다. 페어차일드 솔루션은 현존하는 솔루션보다 전류 스트레스를 두 배 이상 견딜 수 있다.
UniFET II MOSFET은 더 나은 성능지수 (FOM : RDS(ON) * Qg) 를 제공하는 페어차일드의 선진화된 플래너 기술에 기초한다. 낮은 입출력 캐패시턴스와 최상의 역방향 회복성을 가진 MOSFET은 높은 효율을 제공한다. 그리고 과도한 열없이 작은 패키지 안에 높은 양의 파워를 패키징함으로써 LCD TV, PDP TV, 조명시스템의 SMPS, PC 파워 그리고 서버, 통신 파워공급기와 같은 어플리케이션의 전체 효율을 개선시킨다.
UniFET II MOSFET의 최초 제품은 N 채널 FDPF5N50NZ, FDPF8N50NZ 이다. FDPF5N50NZ 은 VGS = 10V, ID = 2.25A 조건에서 1.38Ω (Typ.) 의 RDS(ON) 와 낮은 게이트차지 (Typ. 9nC) 를 특징으로 하는 500V, 4.5A, 1.5Ω 의 제품이다. FDPF8N50NZ 은 VGS = 10V, ID = 4A 조건에서 0.77Ω (Typ.)의 RDS(ON) 와 마찬가지로 낮은 게이트차지 (Typ. 14nC) 을 특징으로 하는 500V, 8A, 0.85Ω 의 제품이다.
이 제품들은 2kV HBM 의 강력한 ESD 성능을 갖고 있는 업계 몇 안 되는 제품중의 하나이다. 이 강력한 ESD 성능은 부적절한 정전발생시 어플리케이션을 보호하는 수단이다.
파워 기술의 선두주자인 페어차일드는 전자제품 설계의 도전에 맞서 유일한 기능조합과 공정 그리고 패키징 기술을 계속해서 제공한다. 이 MOSFET은 설계자들에게 넓은 범위의 항복전압(-500V ~ 1000V), 첨단 패키징 그리고 전자제품의 파워컨버전이 필요로 하는 효율적인 파워관리를 제공하기 위해 업계선두의 성능지수(FOM)를 제공하는 페어차일드의 종합적인 MOSFET 제품군의 일부이다.
가격 (천개 기준, 개당)
FDPF5N50NZ: 미국 달러 $0.69
FDPF8N50NZ: 미국 달러 $0.86
공급 : 샘플 가능
납기 10주 ARO
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