La gamme de circuits DrMOS Generation II XS
offre 94% d'efficacité dans un boîtier 6 mm x 6 mm.

Cette large gamme permet aux concepteurs de choisir le meilleur circuit d'après son efficacité, ses caractéristiques et le contrôleur PWM.

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Paris -- 25 mai 2011 -- Haute efficacité, capacité à gérer de fortes intensités et les petits boîtiers sont des éléments critiques pour les concepteurs d'alimentations lorsqu'ils doivent choisir les composants pour leurs solutions de régulation de voltage. Afin d'y parvenir, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS), un des principaux fournisseurs de circuits de puissance et mobiles de hautes performances, a développé une famille de DrMOS Generation II XS (driver intégré + MOSFET) offrant haute efficacité et densité de puissance pour permettre aux concepteurs de répondre aux besoins de conception spécifiques de nombreuses applications.

Les circuits DrMOS Generation II XS sont disponibles en petits boîtiers PQFN performants 6 mm x 6 mm clipsés et sont très efficaces avec plus de 91,5% d'efficacité en fortes charges en 12Vin, 1Vout et 94% d'efficacité en pics. Les DrMOS Generation II XS peuvent fonctionner en fréquences de commutation à 2 MHz et ont une capacité de 50A pour gérer le courant.

S'appuyant sur son expertise en MOSFET, drivers de gate et technologie de boîtier, Fairchild a optimisé les DrMOS Generation II XS pour augmenter l'efficacité et a développé de nouvelles caractéristiques. Ces améliorations font des DrMOS Generation II XS une gamme idéale pour des applications  comme les serveurs de lame, les cartes-mères hautes performances pour le jeu, les PC portables haut de gamme, les cartes graphiques et les convertisseurs DC-DC de point de charge en courant fort.

Les circuits de cette gamme offrent un niveau Tristate de 5V et 3,3 V pour répondre à la spécification Intel 4.0 DrMOS et sont compatibles avec une variété de contrôleurs PWM du marché. La gamme DrMOS Generation II XS réduit de façon significative le ringing à cause de la technologie PowerTrench MOSFET Shielded Gate du control FET et de FET synchrone. Le FET synchrone intègre également une diode Schottky qui supprime les circuits snubber externes, afin d'améliorer les performances globales et la densité de l'alimentation tout en diminuant l'espace et le coût. Les DrMOS Generation II XS intègrent également une fonction de prévention thermique pour que les clients puissent éviter des conditions de surchauffe lors de situations d'erreurs.

La gamme DrMOS Generation II XS est capable de répondre aux différents besoins des clients et des applications.

La série DrMOS Generation II XS de Fairchild Semiconductor fournit la meilleure technologie pour répondre à l'efficacité énergétique et aux défis des boîtiers présents dans les projets d'aujourd'hui. Les circuits DrMOS Generation II XS font partie des solutions analogiques de puissance efficaces énergétiquement, optoélectroniques et de puissance discrètes qui optimisent les gains énergétiques dans des applications sensibles à la consommation d'énergie.

Prix  (par quantité de 1000 pièces) :
FDMF6705           US $2,86
FDMF6705V        US $2,92
FDMF6706C        US $3,30
FDMC6707B        US $3,96

Disponibilité : échantillonnage
Livraison : 8-10 semaines

Datasheets disponibles en format pdf :
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705V.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6706C.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6707B.pdf

À propos de Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) est présent dans le monde entier avec des idées brillantes. Fairchild fournit des semiconducteurs innovants, basse consommation et à forte valeur ajoutée pour les applications de puissance et mobiles. Nous aidons nos clients à différencier leurs produits et à résoudre de véritables défis techniques grâce à notre expertise dans les produits d'alimentation et d'acheminement du signal. Site web : www.fairchildsemi.com