飞兆半导体PowerTrench® MOSFET器件
提高同步整流应用的系统效率和功率密度

相比先前解决方案，品质因数提升多达 66%

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对于需要提升系统效率并最大限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说，构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。

为了帮助设计人员应对这一挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为100V和150V PowerTrench® MOSFET系列器件增添了工业类型封装选择，包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述器件属于中等电压范围功率MOSFET产品系列成员，是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可在AC-DC电源中实现同步整流功能的快速开关。

这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构，通过使用这项技术，其品质因数(QG x RDS(ON))较先前之解决方案降低达66%，为包含同步整流、微型太阳能逆变器和离线UPS系统之应用，以及电信功率分配PDU/BFU单元之设计人员提供高效率的解决方案。

新产品采用低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管，可以减少系统中的电压尖刺或振荡，省去缓冲器电路，或不需替换额定电压更高的MOSFET器件，有助于提升效率并降低设计的材料清单成本。

首批采用工业类型封装的器件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N沟道PowerTrench MOSFET器件。如同PowerTrench MOSFET系列中的所有器件一样，这些产品具有快速开关特性和低栅极电荷，并采用高性能技术实现了极低的RDS(ON)。此外，该系列器件采用符合RoHS标准的无卤素和无铅封装，能够满足环保法规的要求。

新增PowerTrench MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench MOSFET产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

飞兆半导体： 卓越技术助您实现成功！

价格(订购1,000个):
FDP083N15A_F102 的单价为3.43美元
FDB082N15A 的单价为3.45美元
FDP036N10A 的单价为3.50美元

供货: 现提供样品

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编辑注：产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：
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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。

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发稿：美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)
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