-20V Dual P-Channel (-1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFETGeneral DescriptionThis Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the rDS(on)@VGS = –1.5 V. Product Status/Pricing/Packing
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Features
Applications
Application Notes
ModelsFor additional information please visit the Models page .
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||

